Знајте главну разлику између БЈТ и ФЕТ-а

БЈТ и ФЕТ се разликују врсте транзистора а такође познат и као активан полупроводнички уређаји . Скраћеница БЈТ је Биполар Јунцтион Трансистор, а ФЕТ је скраћеница од Фиелд Еффецт Трансистор. БЈТС и ФЕТС су доступни у различитим пакетима на основу радне фреквенције, струје, напона и снаге. Ове врсте уређаја омогућавају већи степен контроле над њиховим радом. БЈТС и ФЕТ могу се користити као прекидачи и појачала у електричним и електроничка кола . Главна разлика између БЈТ и ФЕТ је у томе што транзистор са ефектом поља само већина набоја носи проток, док у БЈТ тече и већина и мањински носачи набоја.

Разлика између БЈТ и ФЕТ-а

У наставку се говори о главној разлици између БЈТ и ФЕТ, која укључује оно што је БЈТ и ФЕТ, конструкција и рад БЈТ и ФЕТ.

Шта је БЈТ?

БЈТ је једна врста транзистора који користи и већинске и мањинске носаче наелектрисања. Ови полупроводнички уређаји су доступни у две врсте, као што су ПНП и НПН. Главна функција овог транзистора је појачавање струје. Ове транзистори се могу користити као прекидачи и појачала. Примене БЈТ-а укључују широк спектар који укључује електронске уређаје попут телевизора, мобитела, рачунара, радио предајника, аудио појачала и индустријске контроле.

Транзистор за биполарни спој

Изградња БЈТ-а

Транзистор са биполарним спојем садржи два п-н споја. У зависности од структуре БЈТ, они се класификују у две врсте као што су ПНП и НПН . У НПН транзистору, благо допирани полупроводник П-типа смештен је између два јако допирана полупроводника Н-типа. Једнако тако, ПНП транзистор се формира постављањем полупроводника Н-типа између полупроводника П-типа. Конструкција БЈТ приказана је у наставку. Терминали емитора и колектора у доњој структури називају се полупроводницима типа н и типа п који се означавају са „Е“ и „Ц“. Док се преостали колекторски терминал назива полупроводником типа п означеним са „Б“.

Изградња БЈТ-а

Када је високи напон повезан у режиму обрнутог преднапона преко базе и колектора. Ово доводи до појаве високог подручја исцрпљивања које се формира преко БЕ споја, са јаким електричним пољем које зауставља рупе од Б-терминала до Ц-терминала. Кад год су Е и Б терминали повезани у предусмеру преусмеравања, ток електрона ће бити од емитерског до основног терминала.

У основном терминалу неки електрони се рекомбинују са рупама, али електрично поље преко Б-Ц споја привлачи електроне. Већина електрона се на крају прелије у колекторски терминал стварајући огромну струју. Будући да се проток јаке струје кроз колекторски терминал може контролирати малом струјом кроз емитерски терминал.

Ако разлика потенцијала преко БЕ-споја није јака, тада електрони не могу да уђу у терминал колектора, тако да нема протока струје кроз колекторски терминал. Из тог разлога, биполарни спојни транзистор се користи и као прекидач. ПНП спој такође ради са истим принципом, али основни терминал је направљен од материјала типа Н и већина носача наелектрисања у ПНП транзистору су рупе.

Региони БЈТ

БЈТ се може управљати кроз три региона, попут активног, одсецања и засићења. О овим регионима се говори у наставку.

Транзистор је УКЉУЧЕН у активном подручју, тада је колекторска струја упоредна и контролисана кроз основну струју попут ИЦ = βИЦ. Сразмерно је неосетљив на ВЦЕ. У овом региону ради као појачало.

Транзистор је ИСКЉУЧЕН у прекинутој области, тако да нема преноса између два терминала попут колектора и емитора, па је ИБ = 0, тако да је ИЦ = 0.

Транзистор је УКЉУЧЕН у подручју засићења, па се колекторска струја мења изузетно мање променом унутар основне струје. ВЦЕ је мали и струја колектора углавном зависи од ВЦЕ, а не као у активном региону.

БЈТ карактеристике

Тхе карактеристике БЈТ укључи следеће.

• И / п импеданса БЈТ је мала, док је о / п импеданса висока.
• БЈТ је бучна компонента због појаве мањинских носача наелектрисања
• БЈТ је биполарни уређај јер ће проток струје бити присутан због оба носача наелектрисања.
• Топлотни капацитет БЈТ је низак, јер одводна струја у супротном обрће струју засићења.
• Допинг унутар терминала емитер је максималан, док је у базном терминалу низак
• Површина колекторског терминала у БЈТ је велика у поређењу са ФЕТ-ом

Врсте БЈТ

Класификација БЈТ се може извршити на основу њихове конструкције попут ПНП и НПН.

ПНП транзистор

У ПНП транзистору, између два полупроводничка слоја п-типа, стиснут је само полупроводнички слој н-типа.

НПН транзистор

У НПН транзистору, између два полупроводничка слоја Н-типа, стиснут је само полупроводнички слој п-типа.

Шта је ФЕТ?

Термин ФЕТ означава транзистор са ефектом поља и такође је назван униполарни транзистор. ФЕТ је једна врста транзистора, где се о / п струја контролише електричним пољима. Основни тип ФЕТ-а се потпуно разликује од БЈТ-а. ФЕТ се састоји од три терминала, наиме извора, одвода и прикључка. Носачи наелектрисања овог транзистора су рупе или електрони који активним каналом теку од терминала извора до одвода. Овим протоком носача наелектрисања може се управљати напоном који се примењује на извору и прикључним терминалима.

Транзистор са ефектом поља

Изградња ФЕТ-а

Транзистори са ефектом поља класификују се у две врсте као што су ЈФЕТ и МОСФЕТ. Ова два транзистора имају сличне принципе. Конструкција п-канала ЈФЕТ је приказана у наставку. У п-канални ЈФЕТ , већина носача наелектрисања тече од извора до одвода. Изводни и одводни терминали означени су са С и Д.

Изградња ФЕТ-а

Терминал капије повезан је у режиму обрнуте пристрасности са извором напона, тако да се слој осиромашења може формирати преко региона капије и канала у коме струје набоји. Кад год се повећа реверзни напон на прикључку капије, слој исцрпљивања се повећава. Тако може зауставити проток струје од изворног терминала до одводног терминала. Дакле, променом напона на прикључном каблу, проток струје од изворног терминала до одводног терминала могао би се контролисати.

Региони ФЕТ-а

ФЕТ-ови су функционисали кроз три региона, као што су гранични, активни и омски регион.

Транзистор ће бити ИСКЉУЧЕН у прекинутој области. Дакле, нема проводљивости између извора као ни одвода када је напон врата-извора већи у поређењу са граничним напоном. (ИД = 0 за ВГС> ВГС, искључено)

Активни регион познат је и као регион засићења. У овом региону је транзистор УКЉУЧЕН. Контрола одводне струје може се извршити кроз ВГС (напон на капији-извору) и сразмерно осетљива на ВДС. Дакле, у овом региону транзистор ради као појачало.

Дакле, ИД = ИДСС = (1- ВГС / ВГС, искључено) 2

Транзистор се активира у омском подручју, али делује као видеорекордер (отпорник под напоном). Једном када је ВДС низак у поређењу са активним регионом, тада је одводна струја приближно упоредна са напоном одвода извора и контролише се кроз напон на капији. Дакле, ИД = ИДСС

[2 (1- ВГС / ВГС, искључено) (ВДС / -ВДС, искључено) - (ВДС / -ВГС, искључено) 2]

У овом региону,

РДС = ВГС, искључено / 2ИДсс (ВГС- ВГС, искључено) = 1 / гм

Врсте ФЕТ-а

Постоје две главне врсте спојних транзистора са ефектом поља као што су следеће.

ЈФЕТ - Транзистор поља са ефектом споја

ИГБТ - Транзистор са ефектом изоловане капије и познатији је као МОСФЕТ - транзистор поља са ефектом металног оксида

ФЕТ карактеристике

Тхе карактеристике ФЕТ-а укључи следеће.

• Улазна импеданса ФЕТ-а је висока око 100 МОхм
• Када се ФЕТ користи као прекидач, он нема помак напона
• ФЕТ је релативно заштићен од зрачења
• ФЕТ је уређај са већинским носачем.
• То је униполарна компонента и пружа високу топлотну стабилност
• Има малу буку и погоднији је за улазне фазе појачала ниског нивоа.
• Пружа високу топлотну стабилност у поређењу са БЈТ.

Разлика између БЈТ и ФЕТ

Разлика између БЈТ и ФЕТ дата је у следећем табеларном облику.

Кључна разлика између БЈТ и ФЕТ-а

• Транзистори са биполарним спојем су биполарни уређаји, у овом транзистору постоји ток и већинског и мањинског носача наелектрисања.
• Транзистори са ефектом поља су униполарни уређаји, у овом транзистору постоје само већински токови носача наелектрисања.
• Транзистори са биполарним спојем су контролисани струјом.
• Транзистори са ефектом поља контролишу се напоном.
• У многим се примјенама користе ФЕТ-ови од биполарних спојних транзистора.
• Транзистори са биполарним спојем састоје се од три терминала, наиме емитера, базе и колектора. Ови терминали су означени са Е, Б и Ц.
• Транзистор са пољским ефектом састоји се од три терминала, наиме извора, одвода и врата. Ови терминали су означени са С, Д и Г.
• Улазна импеданса транзистора са ефектом поља је висока у поређењу са транзисторима са биполарним спојем.
• Производња ФЕТ-ова може се обавити врло мало како би били ефикасни у дизајнирању комерцијалних кругова. У основи, ФЕТ-ови су доступни у малим величинама и користе мало простора на чипу. Мањи уређаји су погоднији за употребу и једноставнији за употребу. БЈТ су већи од ФЕТ-а.
• ФЕТ-ови, посебно МОСФЕТ-ови су скупљи за пројектовање у поређењу са БЈТ-овима.
• ФЕТ-ови се шире користе у различитим апликацијама и они се могу производити у малим димензијама и троше мање напајања. БЈТ-ови су применљиви у хоби електроници, потрошачкој електроници и генеришу велике добитке.
• ФЕТ-ови пружају неколико погодности за комерцијалне уређаје у великим индустријама. Једном када се користи у потрошачким уређајима, они су преферирани због њихове величине, велике импедансе улазног / излазног напона и других фактора.
• Једна од највећих компанија за пројектовање чипова попут Интел-а користи ФЕТ-ове за напајање милијарди уређаја широм света.
• БЈТ-у је потребна мала количина струје да би укључио транзистор. Топлота која се расипа на биполарном систему зауставља укупан број транзистора који се могу произвести на чипу.
• Кад год се напуни ‘Г’ терминал ФЕТ транзистора, није потребна више струја да би транзистор био укључен.
• БЈТ је одговоран за прегревање због негативног коефицијента температуре.
• ФЕТ има температурни коефицијент + Ве за заустављање прегревања.
• БЈТ су применљиви за слабе струје.
• ФЕТС су применљиви за нисконапонске примене.
• ФЕТ-ови имају мали до средњи добитак.
• БЈТ имају већу максималну фреквенцију и већу граничну фреквенцију.

Зашто је ФЕТ префериран у односу на БЈТ?

• Транзистори са ефектом поља пружају високу улазну импедансу у поређењу са БЈТ. Добитак ФЕТ-а је мањи у поређењу са БЈТ-има.
• ФЕТ ствара мање буке
• Ефекат зрачења ФЕТ је мањи.
• Помак напона ФЕТ-а је нула при нултој одводној струји и зато чини изванредан хеликоптер за сигнал.
• ФЕТ-ови су стабилнији на температури.
• То су уређаји осетљиви на напон, укључујући високу улазну импедансу.
• Улазна импеданса ФЕТ-а је већа, па је пожељно да се користи као и / п ступањ за вишестепено појачало.
• Једна класа транзистора са пољским ефектом производи мање буке
• Израда ФЕТ-а је једноставна
• ФЕТ реагује као променљиви отпорник контролисан напоном за мале вредности напона одвода до извора.
• Они нису осетљиви на зрачење.
• Снажни ФЕТ-ови расипају велику снагу, као и пребацивање великих струја.

Шта је бржи БЈТ или ФЕТ?

• За ЛЕД вожњу мале снаге и исте уређаје из МЦУ-а (јединица микроконтролера), БЈТ-ови су врло погодни јер се БЈТ-ови могу брже пребацити у поређењу са МОСФЕТ-ом због малог капацитета на контролном пину.
• МОСФЕТ-ови се користе у апликацијама велике снаге јер се могу брже пребацити у поређењу са БЈТ-овима.
• МОСФЕТ-ови користе мале пригушнице унутар напајања у преклопном режиму како би повећали ефикасност.

Дакле, овде се ради о поређењу између БЈТ и ФЕТ, укључује оно што је БЈТ и ФЕТ, конструкција БЈТ, конструкција ФЕТ, разлике између БЈТ и ФЕТ. И транзистори попут БЈТ и ФЕТ развијени су кроз разне полупроводничке материјале попут П-типа и Н-типа. Они се користе у дизајну прекидача, појачала као и осцилатора. Надамо се да сте боље разумели овај концепт. Даље, било која питања у вези са овим концептом или електронски пројекти молимо вас да коментаришете у одељку за коментаре испод. Ево питања за вас, које су примене БЈТ и ФЕТ?

Фото кредити:

• БЈТ ибиблио
• Изградња БЈТ-а викимедиа
• ФЕТ склоп данас
• Изградња ФЕТ-а електрода